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规格书 |
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文档 |
Multiple Devices 19/Mar/2010 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 1,500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 40A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 9 mOhm @ 30A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.2V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 15nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1600pF @ 15V |
功率 - 最大 | 42W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
供应商器件封装 | PG-TO251-3 |
包装材料 | Tube |
包装 | 3TO-251 |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 30 V |
最大连续漏极电流 | 40 A |
RDS -于 | 9@10V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 4 ns |
典型上升时间 | 14 ns |
典型关闭延迟时间 | 15 ns |
典型下降时间 | 3 ns |
工作温度 | -55 to 175 °C |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 40A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.2V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
供应商设备封装 | PG-TO251-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 9 mOhm @ 30A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 42W |
封装/外壳 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1600pF @ 15V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 15nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 1500 |
晶体管极性 | N-Channel |
连续漏极电流 | 40 A |
零件号别名 | IPS090N03LGAKMA1 SP000788216 |
下降时间 | 3 ns |
安装风格 | Through Hole |
产品种类 | MOSFET |
商品名 | OptiMOS |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 175 C |
RoHS | RoHS Compliant |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
系列 | IPS090N03 |
RDS(ON) | 9 mOhms |
功率耗散 | 42 W |
最低工作温度 | - 55 C |
上升时间 | 14 ns |
漏源击穿电压 | 30 V |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
宽度 | 2.38 mm |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
品牌 | Infineon Technologies |
通道数 | 1 Channel |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current | 40 A |
长度 | 6.73 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 9 mOhms |
身高 | 6.22 mm |
Pd - Power Dissipation | 42 W |
技术 | Si |
associated | IRFR3707ZPBF |
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